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SUD40N10-25-E3中文资料

SUD40N10-25-E3图片

SUD40N10-25-E3外观图

  • 大小:105.1KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: MOSFET, N, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):25mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:40A; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:3W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • 标准包装:2,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:40A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:25 毫欧 @ 40A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:60nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:2400pF @ 25V
  • 功率 - 最大:3W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装:TO-252,(D-Pak)
  • 包装:带卷 (TR)

SUD40N10-25-E3供应商

更新时间:2023-01-16 23:59:57
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